metal gate半導體
...極(High-kMetalGate,HKMG)的後閘極(Gate-last)技術為主。相較於前閘極(Gate-first)技術,後閘極技術具備較低的漏電流以及能提供更佳的晶片效能等優勢。,2007年12月24日—high-k/metalgate技術預計可在2009-2010年達到32nm世代的量產化,如圖一所示,藉此技...
金屬門Metal Gate
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第一個MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)是1959年由MohamedAtalla和DawonKahng在貝爾實驗室創建並於1960年進行演示的。他們使用矽作為溝道材料,並使用非自對 ...
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